从第一代到第七代IGBT,三菱电机一直保持着迭代与创新
三菱电机自80年代末至90年代初,便开始从事IGBT功率模块相关的设计、研发与生产。从第一代IGBT到现在的第七代IGBT,无论在功率半导体最新技术发展方面,三菱电机的IGBT芯片技术始终保持着迭代与创新。
目前,以第七代IGBT产品为例,在采用第七代RFC二极管硅片和IGBT硅片后,IGBT模块将产品能耗降低了10%,而新型的二极管硅片很好地降低了芯片的厚度,具有更好的动态与静态特性。第七代产品取消了反向恢复过程产生的夹断恢复现象,基于方便性和可靠性而性的产品理念,第七代IGBT模块NX型封装采用SLC封装技术,SLC结构使用了直接树脂和IMB封装。对比第六代NX系列模块封装技术对比,第七代去除了铜底板与绝缘层的焊接层,从而延长了热循环寿命,可达10倍以上。
而采用TMS封装技术的STD,同样也去除了铜底板与绝缘层的焊接层。经过试验证明,第七代结构在使用超过1000次循环后,并没有出现开裂现象,而热循环寿命对比第六代STD型封装高出了3倍以上。除此,STD型封装的主端子则采用了叠层结构和超声建合技术等,从而降低内部杂散电感高达30%。
在2018年,在中低压变频器、风力发电、光伏发电、电动大巴、SVG、储能逆变器等应用中,三菱电机则强化第7带IGBT模块的市场拓展。